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2021年9月8日 - 捷捷微電（300623）推出新款 150V 系列 N-溝道JSFET , 采用 TO-220-3L, TO-247-3L 及 TO-263-3L 封裝，超優(yōu)的熱導性能減少熱點(diǎn)，提升可靠性；符合 5G 通信電源及有源以太網(wǎng) (PoE++) 供應端電源、儲能電池組電源管理 (BMS) 優(yōu)化器、無(wú)刷電機驅動(dòng) (BLDC) 等應用對超高功率密度和能效的需求。器件內部配以全銅框架，電流處理能力達185A。在VGS＝10V條件下，系列中 TO-263-3L 封裝的 JMSH1504AE，標準導電阻抗低至 3.9mΩ，與國際半導體 IDM 大廠(chǎng)的同類(lèi)產(chǎn)品不相伯仲。

　　新的 JMSH1504 系列功率器件提供插件式及貼片式兩種封裝，方便應用電路PCB 版圖設計及電子元件放置。與同類(lèi)采用 TO-263 封裝的競品相比，不僅在導通阻抗、雪崩能量、米勒及輸出電容等參數方面大有優(yōu)勢；也具良好的線(xiàn)性模式/安全工作區域（SOA）特性，可以在大電流條件下安全可靠地開(kāi)關(guān)工作。捷捷微電功率 MOSFET 器件市場(chǎng)經(jīng)理樊君：

　　「因應國家在大力推動(dòng) 5G 基建，越來(lái)越多智能終端如高精度定位模塊及人像識別傳感器等，透過(guò)千兆以太網(wǎng)連接 RAN 交換機作信號傳輸的同時(shí)；也從交換機 PSE 供電設備模組獲取最高 IEEE 802.3bt PoE++ 第四級100W的供電。JMSH1504AE 超低的導通阻抗 (3.9mΩ) 能保證交換機里的PSE供電設備模組，在供電給多至二十四組 PoE++ PD 終端時(shí)，確保最佳的電源轉換效能及工作溫度?！?/p>

　　JMSH1504 系列SGT MOSFET 能滿(mǎn)足通信類(lèi)、BMS、BLDC 等應用對器件牢固性和可靠性的需求。在數據中心、5G 數據交換機、安防系統伺服器里也常會(huì )用在 OR-ing 及熱插拔等應用。極低的米勒電容 (6.7pF) 及輸出電容 (772pF)，和高達 889mJ 的雪崩能量 (EAS) ，能輕松的處理高電平轉低電平子系統中電源關(guān)斷時(shí)常出現的尖峰電壓，確保長(cháng)期穩定的系統運轉。

　　目前 JMSH1504 系列 SGT MOSFET 已經(jīng)量產(chǎn)，樣品可從捷捷微電銷(xiāo)售部、合約代理商、或相關(guān)商務(wù)渠道申請。