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1、 開(kāi)關(guān)損耗=開(kāi)通損耗+關(guān)斷損耗

開(kāi)通損耗：MOS開(kāi)通期間，既有電流，也有電壓，存在開(kāi)通損；

耗關(guān)斷損耗：MOS關(guān)斷期間，既有電流，也有電壓，存在關(guān)斷損耗發(fā)生在開(kāi)和關(guān)期間，與管子的開(kāi)關(guān)頻率成正比

2、 導通損耗

可以通過(guò)選型來(lái)降低損耗，損耗由系統負載電流決定。Rdson很小，Id電流是由負載決定。

改善措施：

1、 增大Igs電流，減少Rg電阻，或者增大驅動(dòng)信號的驅動(dòng)能力，推挽電路，提高驅動(dòng)信號的電壓幅值，不能大于+-20V，有條件+-15V，最好能達到+-12V選型GS電容小的管子，可以選擇快管了；

2、 選型Cdg小的管子，Cgd-米勒電容！

深圳世昌隆電子有限公司核心代理產(chǎn)品線(xiàn)-JJM 捷捷微：車(chē)規MOSFET/車(chē)規TVS管/高中低壓MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各類(lèi)二極管/整流橋;