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三極管，MOS管和IGBT這三種半導體功率器件到府工有哪些區別呢，下面具體從兩方面來(lái)闡述：

A、  符號：

三極管有三個(gè)極，基極B，集電極C，發(fā)射極E；

MOS管也有三個(gè)極，柵極G，源極S，漏極D；

IGBT也是三個(gè)極，從圖上可以看到，IGBT，它是三極管和MOS管復合起來(lái)的，所以也有柵極G，集電極c,發(fā)射極e;

B、  應用：

三極管是一個(gè)電流控制型的，主要是來(lái)放大電流的，就是通過(guò)基極b電流來(lái)控制集電極c的電流，有三種狀態(tài)，導通，飽和及放大，所以三極管能夠作為開(kāi)關(guān)，也能作為放大元件；

MOS管是電壓控制型的，就是他通過(guò)柵極G的電壓來(lái)控制漏極D和源極S的溝通，也是有三狀態(tài)，導通，截止和放大；

都有這三種狀態(tài)，那怎么選擇呢？MOS管一般應用在電流比較大，功率比較大，而且頻率比較高的場(chǎng)合(比如開(kāi)關(guān)電源)，而三極管是用來(lái)控制電流，功率比較小的一些器件上一般是信號的放大，主要用在弱電上，三極管相比MOS管功耗比較大；

IGBT剛好是三極管和MOS管復合起來(lái)，結合他們兩個(gè)的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)電壓來(lái)控制電流，IGBT只能用作開(kāi)關(guān)作用，它沒(méi)有放大功能，主要用在大電流，大電壓，大功率上，主要是用在強電上，比如逆變器，變頻器；