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世昌隆電子產(chǎn)品線(xiàn)之MOS的優(yōu)點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2023-10-15    瀏覽:221 次  

MOS管:電壓控制型器件,管子的導通只關(guān)注電壓的閥值。

1、GS之間有一個(gè)電容;

2、先對Cgs電容進(jìn)行充電,充到閥值后,管子導通;

3、充電過(guò)程中是消耗電流和功耗的。當充電完成后,電容充滿(mǎn),則無(wú)電流。無(wú)電流則無(wú)損耗,即無(wú)功耗。

4、DS之間等效成一個(gè)可變電阻R(ds)on(可變電阻區)這個(gè)可變電阻在關(guān)斷OFF時(shí),電阻無(wú)窮大,在導通ON時(shí)電阻無(wú)窮小。

5、即使有很大的ld,無(wú)窮小的電阻,乘積就是功率也是很小很小的。

 

另外MOS管還有下記幾個(gè)特點(diǎn):

1、Cgs電容有一個(gè)閾值電壓,使得MOSFET導通,

2、DS導通,表現為Rds(on),Cgs電容無(wú)放電回路, Cgs無(wú)電流,無(wú)功耗。MOSFET導通期間,Cgs沒(méi)有放電回路。

3、 Rds(on),此刻是最小的,MOSFET電流大。

4、Rds(on)越小,MOS管價(jià)格越貴

5、在測量MOSEFET時(shí),需要將GS短路,把Cgs的電容電荷釋放掉,gs短接放電,測量才可靠。

 

深圳世昌隆電子有限公司核心代理產(chǎn)品線(xiàn)-JJM 捷捷微:車(chē)規MOSFET/車(chē)規TVS管/高中低壓MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各類(lèi)二極管/整流橋;


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