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薄膜電容器最重要的特性是它們的自愈性能。在高電壓的作用下清除薄弱點(diǎn)（如：薄膜上的針孔和雜質(zhì)）。

蒸鍍在薄膜上的金屬涂層只有20...50nm的厚度，如果薄弱點(diǎn)處的絕緣耐壓強度超過(guò)了限度，就會(huì )產(chǎn)生介質(zhì)擊穿。在發(fā)生介質(zhì)擊穿的通道內產(chǎn)生的高溫（高達6000 K）會(huì )使絕緣介質(zhì)變成高壓的等離子氣體，并從電容中釋放出去。在介質(zhì)擊穿點(diǎn)附近的薄薄的金屬層會(huì )被高溫的等離子氣體氣化從擊穿通道蒸發(fā)掉?？焖倥驖q的等離子在幾個(gè)微秒后會(huì )使擊穿點(diǎn)冷卻下來(lái)。這樣在電壓大幅下降前，放電現象停止。介質(zhì)擊穿點(diǎn)附近 的區域形成絕緣區，電容恢復之前的耐壓能力。

應該注意的是，發(fā)生自愈現象所需要的電壓水平遠遠高出標稱(chēng)電壓。這是一種安全設計，當電容的負載超出額定值時(shí)起到保護作用。