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MOS管的損耗有哪些呢
1、 開(kāi)關(guān)損耗=開(kāi)通損耗+關(guān)斷損耗 開(kāi)通損耗:MOS開(kāi)通期間,既有電流,也有電壓,存在開(kāi)通損;耗關(guān)斷損耗:MOS關(guān)斷期間,既有電流,也有電壓,存在關(guān)斷損耗發(fā)生在開(kāi)和關(guān)期間,與管子的開(kāi)關(guān)頻率成正比…
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2023-10-16
世昌隆電子產(chǎn)品線(xiàn)之MOS的優(yōu)點(diǎn)
MOS管:電壓控制型器件,管子的導通只關(guān)注電壓的閥值。1、GS之間有一個(gè)電容;2、先對Cgs電容進(jìn)行充電,充到閥值后,管子導通;3、充電過(guò)程中是消耗電流和功耗的。當充電完成后,電容充滿(mǎn),則無(wú)電流。無(wú)電流則無(wú)…
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2023-10-15
關(guān)于捷捷微MOS和三極管對比
捷捷微MOS和三極管對比:1、電極:MOS:N管,P管(D極 S極 G極)BJT:PNP管,NPN管(C極 E極 B極) 注:D極(即漏極) S極(即源極) G極(即柵極) C極(即集電極…
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2023-10-14
世昌隆電子總結的MOSFET五種損壞原因
MOS管常見(jiàn)的5種損壞原因:1、 雪崩破壞如果在漏極-源極之間外加超出器件額定VD SS的浪涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS(根據擊穿電流其值不同)并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象,在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)…
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2023-10-13
【電學(xué)基礎】1-直流電與交流電
直流電與交流電的區別及使用范圍:1、交流電是大小和方向隨時(shí)間周期性變化的,直流電不變;2、直流電有正負極,交流電沒(méi)用;3、交流電利于遠距離傳輸,變壓但是無(wú)功較多(電感)較多,直流電損耗小,但是降壓較為不便…
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2023-01-10
薄膜電容器選型技術(shù)參數之四:等效串聯(lián)電阻ES…
等效串聯(lián)電阻是電容的歐姆電阻。它不僅包括接觸電容(Rs),還包括其它如介質(zhì)極化和漏電流引起的電阻。這些也被定義為損耗因數 。根據tan d的定義,等效串聯(lián)電阻可表示為:等效串聯(lián)電阻不僅和電介質(zhì)的特性有關(guān),還和電…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數之三:額定電容值CR
電容容值是電容器每單位電壓下可儲存的電荷量。電容器的額定電容值CR是標注在電容器上的設計電容值。電容容值根據IEC 60068-1:2013,在標準條件下測量。測量之前,電容器必須存儲在測量條件下,直到整個(gè)電容器達…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數之二:峰值電流
最大峰值電流I (A) = C (μF) · dV/dt (V/μs)。dV/dt值和脈沖特性K0在每個(gè)產(chǎn)品規格書(shū)予以提供。K0用于評估脈沖產(chǎn)生的熱能。這些dV/dt和K0參數值僅對單個(gè)脈沖有效,即一個(gè)脈沖的產(chǎn)生的熱能(Q)在第二個(gè)脈…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數之一:降額
隨著(zhù)電容工作溫度T的升高,電容的耐壓需要根據規格書(shū)上的要求進(jìn)行降額。因此,有可能需要選擇更高耐壓等級的電容。例如,對VR = 800 V DC的電容,根據下圖,從85 oC開(kāi)始需要降額:>如果電容器的工作溫度T…
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2022-08-14
?臺灣AID愛(ài)得薄膜電容基本技術(shù)知識二:熱分…
電容器承受持續(正弦)交流電壓VRMS或交流電流IRMS的能力和頻率以及其他各種因素有關(guān)。在整個(gè)頻率范圍內,根據電壓限制因素的不同,可以分為三個(gè)區域,從受電暈放電限制的區域A,到受電容接觸面能承受的最大…
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2022-05-13
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